光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。
Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光
- 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。
光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
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晶体 |
Bi
12 SiO
20（BSO）
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Bi
12 GeO
20（BGO）
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Fe：LiNbO
3
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SBN x = 0.60
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SBN x = 0.75
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晶体结构
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立方，点组：23
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立方，点组：23
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三角形，3m
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4mm
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4mm
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晶格（胞）参数，?
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10.10
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10.15
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-
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a = 12.46，c = 3.946
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a = 12.43024，c = 3.91341
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透射范围，μm
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0.4-6
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0.4-7
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0.35 - 5.5
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0.3 5 - 6.0
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0.35 - 6.0
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折射率在0.63μm
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2.54
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2.55
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2.20（ne），2.29（no）
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n
e = 2.33，n
o = 2.36 @0.51μm
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n
e = 2.35，n
o = 2.37
@0.51μm
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电光系数r41，pm / V
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5
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3.5
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r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32
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r
13 = 47，r
33 = 235
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r
13 = 67，r
33 = 1340
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光学活性，500纳米处的deg / mm
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42
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41.5
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-
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-
|
-
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在600nm处为 - deg / mm
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25
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24
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-
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-
|
-
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密度，g / cm
3
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9.15
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9.2
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4.64
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5.4
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5.4
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莫氏硬度
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5
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5
|
5
|
5.5
|
5.5
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熔点，C
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890
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920
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1255（Tc = 1140）
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1500±10°C
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1500±10°C
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介电常数
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56
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40
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85（e11）30（e33）
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880
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3400
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暗电阻，欧姆厘米
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10
14
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10
14
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-
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-
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-
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吸收系数@0.44μm
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-
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-
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-
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0.3cm
-1
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-
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在25°C时的热导率
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-
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-
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-
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0.006 W / cm * K
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@ 1370至1470℃下
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-
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-
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-
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-
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0.008 W / cm * K
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热光系数dn
e / dT
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-
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-
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-
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3×10
-4 K
-1
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-
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居里温度
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-
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-
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-
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75℃
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56℃
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半波电压
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-
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-
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-
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240伏
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48 V
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我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。
BGO锗酸铋晶体